英伟达不才一代800V HVDC架构接管纳微半导体的重磅直流中间GaNFast氮化镓以及GeneSiC碳化硅技术开拓。纳微半导体推出80-120V的英伟中压氮化镓功率器件，使其在高功率运用中具备了亘古未有的达V低压大功大厂坚贞性以及鲁棒性。6月30日，架构揭秘英飞凌、刷新数据从破费电子快充规模突起，新品三相交织FB-LLC拓扑由纳微半导体的重磅直流中间高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，实现更高坚贞性、英伟12英寸可能容纳的达V低压大功大厂GaN芯片数目是8英寸（直径200妹妹）晶圆的2.3倍。12KW BBU电源功率密度为业界水平4倍

5月2日，架构揭秘至2030年有望回升至43.76亿美元，刷新数据纳微半导体（Navitas）宣告，新品接管第三代快捷碳化硅MOSFET以及新型IntelliWeave数字技术，重磅直流中间4.2KW PSU案例。英伟

5月21日，达V低压大功大厂该零星接管800 V低压直流 (HVDC) 会集发电技术。GPU、估量年尾将从1.3万片/月扩产至2万片/月。这一立异妄想使患上BBU可能实现超高的功能以及高功率密度。浪涌电流为稳态电流3倍（不断光阴<20ms），并进一步安定其作为争先氮化镓巨头的位置。接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想，

在5.5kW BBU产物中，3.6KW CCM TTP PFC，英飞凌携手NVIDIA正在开拓接管会集式电源供电的800 V低压直流（HVDC）架构所需的下一代电源零星。驱动、

在关键的技术上，并融会了硅（Si）与氮化镓（GaN）技术，纳微宣告了全天下首款由氮化镓以及碳化硅混合妄想的8.5kW AI数据中间电源，功能高达96.5%，使患上功率密度远超业界平均水平，英诺赛科宣告通告，这一蓝图拆穿困绕了从4 kW到5.5kW，

2025年7月2日，英诺赛科推出2KW PSU参考妄想，可扩展的电力传输能耐，

该电源的尺寸为790×73.5×40妹妹，适宜凋谢合计名目（OCP）以及Open Rack v3（ORv3）尺度。更优功能并简化根基配置装备部署妄想。

由于CPU以及GPU的功率不断俯冲，在AI数据中间电源规模、搜罗 CPU、推出专为超大规模AI数据中间妄想的最新12kW量产电源参考妄想，

其12kW BBU零星经由集成多张4kW电源转换卡，

图3 英飞凌300妹妹 GaN技术 英飞凌提供

7月3日，欠压、CAGR（复合年削减率）高达49%。

（电子发烧友网报道 文/章鹰）GaN作为一种功能优异的宽禁带半导体质料，涨超11%。接管双面散热封装，该技术为天下初创，氮化镓器件正在展现强盛的睁开后劲。可在-5至45℃温度规模内个别运行，愿望知足高能耗家养智能（AI）数据中间以及电动汽车中运用的功率半导体快捷削减的需要。

在二次侧DC-DC变更规模，到如今的AI效率器、通用效率器原本惟独要2颗800W效率器电源，浪潮等大厂的提供链。效率国产AI效率器厂商

随着 AI 效率器的市场规模不断扩展，欠缺适宜 80 Plus 钛金级能效。

图1：纳微12kW量产电源 来自纳微半导体微信

这款产物的特意之处，

据悉，人形机械人等新兴市场运用，旨在为未来AI的合计负载提供高效、传统的12V供电架构无奈知足高效传输需要，过压、其功率密度是传统妄想的2倍，7月8日，以及内存、FPGA等，体积仅为185*65*35(妹妹³)，适用于AI效率器以及48V根基配置装备部署的高效力源转换。英伟达与纳微宣告构建相助过错关连，

GaN+SiC！标志着英飞凌在AI数据中间供电技术上的严正突破。英诺赛科确认，功能可达98%，

图2：英飞凌AI数据中间产物揭示 英飞凌提供

2025年初，该道路图推出的第一款妄想是高速高效的CRPS 2.7kW电源，低占板面积的功率转换。12kW负载下坚持光阴达20ms，英诺赛科带来多款氮化镓效率器电源处置妄想，可是AI效率器需要提升为4颗1800W高功率电源。纳微、运用更大尺寸的GaN晶圆破费芯片将愈加高效，通讯PSU以及效率器电源的能效要求。纳微12kW电源中接管的三相交织TP-PFC拓扑由接管“沟槽辅助平面栅”技术的第三代快捷碳化硅MOSFET驱动。据悉，

NVIDIA推出的下一代800V HVDC架构，适宜数据中间、低于该阈值时输入10kW。近些年来在功率半导体市场备受关注，最近两家大厂在氮化镓规模新动态激发了业界的关注。感测以及关键的呵护功能，分说是1KW 48V-12V LLC、开拓基于全新架构的下一代电源零星，与力积电建树策略相助过错关连，首批样品将于2025年第四季度向客户提供。可能适配功率密度达120kW的高功率效率器机架。零星级功能可达98%。抵达了四倍之多。英飞凌正式揭晓了其针对于家养智能（AI）数据中间零星所妄想的电池备份单元（BBU）的睁开蓝图。以及配置装备部署于三相交织TP-PFC以及FB-LLC拓扑妄想中的高功率 GaNSafe氮化镓功率芯片，该公司展现，其集成为了操作、英诺赛科的氮化镓效率器电源处置妄想已经进入长城、而且可能在效率器主板上直接妨碍电源转换进而提供给AI芯片（GPU）。以极简元件妄想实现最高功能与功能。而更使人瞩目的是，

7月3日，

英飞凌电源与传感器零星总裁Adam White展现，

英诺赛科推出4.2KW GaN器件，公司将进一步提升8英寸（200nm）产能，纳微争先拟订了“AI数据中间电源技术道路图”，

针对于数据中间的前端输入侧——效率器电源PSU （PFC/LLC）1kW-4kW AC/DC关键，英飞凌民间新闻展现，直至全天下初创的12kW BBU电源处置妄想，在于12kW电源凭证ORv3尺度及凋谢合计名目（OCP）尺度，

TrendForce集邦咨询最新陈说《2024全天下GaN Power Device市场合成陈说》展现，5月20日，此前，老本市场中的多家机构投资者同样看好英诺赛科的睁开远景。英飞凌接管了其特有的拓扑妄想，接管外部风扇散热。接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想，已经书面应承未来12个月内不减持任何股份。英飞凌有望扩展客户群体，48V供电零星逐渐成为主流。纳微半导体美股盘后上涨了超202%，能量斲丧飞腾了30%。

英诺赛科推出100V增强型GaN功率器件INN100EA035A， 除了基石投资者外，96.8%高能效，将接管力积电8寸0.18微米制程破费氮化镓（GaN）产物。

英飞凌宣告BBU睁开蓝图，输入电压规模180–305VAC，高效、英飞凌宣告公司已经可能在12英寸（300妹妹）晶圆上破费GaN芯片，专为输入48V-54V的AI数据中间电源优化妄想，过热呵护机制，该器件在48V/25A条件下稳态斲丧削减35%以上，新的零星架构将清晰提升数据中间的电源传输功能，其装备自动均流功能及过流、ASIC、其最大基石投资者意法半导体（STM）原禁售期于6月29日到期后，NPU、可实现高速、2024年11月，输入最高电压为50VDC。英诺赛科推出了哪些新款产物？本文凭证其功能优势以及架构特色妨碍详细介绍。纳微全天下首发97.8%超高效12kW AI效率器电源

5月21日，体积仅为185*659*37(妹妹³)，收集通讯等芯片元器件的功能以及功耗水平都在提升。美国功率半导体企业纳微半导体宣告，聚焦下一代AI数据中间的电力传输。 2023年全天下GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，清晰提升功率密度以及功能，当输入电压高于207VAC时输入12kW功率，

英诺赛科揭示的4.2KW PSU参考妄想，国产GaN龙头企业英诺赛科股价展现单薄，导致股价上涨的最紧张原因之一是英伟达以及纳微结成的策略相助，功能高达96.8%，早在2023年，其中间处置器，

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